Chapter 12 - 4. 기판전압에 의한 드레인 전류와 임계전압 변화 기판전압 효과MOSFET의 기판전압에 의해 임계전압(MOSFET의 전기적 특성)이 변화한다. MOSFET에는 기판 / 소스 접합과 기판 / 드레인 접합이 있다. 이 접합 사이에 전류가 흐르는 것을 막아야 한다. 기판전압 효과계수기판전압이 임계전압의 변화(MOSFET의 전기적 특성 변화)에 영향을 미치는 계수 기판의 산화막 정전용량과 도핑 농도에 의해 결정된다. - 산화막 정전용량이 클수록 기판전압 효과는 감소한다.- 기판의 도핑 농도가 낮을수록 기판전압 효과는 감소한다.- 산화막이 얇을수록 기판전압 효과는 감소한다.- 유전상수가 클수록 기판전압 효과는 감소한다. 약한 반전 상태의 드레인 누설 전류MOSFET의 소형화로 인해 인접..
