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접합형 전계효과 트랜지스터 2

반도체 기초 Chapter 13 - 2. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET, MESFET 등)의 상태에 따른 전기적 특성

Chapter 13 - 2. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET, MESFET 등)의 상태에 따른 전기적 특성 접합형 전계효과 트랜지스터의 구분접합형 전계효과 트랜지스터는 게이트 전압이 인가되지 않았을 때 전도성 채널이 형성되어 있는지 아닌지에 따라 구분한다. - 공핍형(depletion mode) 전계효과 트랜지스터게이트 전압이 0일 때 전류가 흐를 수 있는 중성채널 영역이 있는 전계효과 트랜지스터이다. 게이트에 역방향 전압을 인가해서 공간전하 영역이 확장되면 전도성 중성채널이 축소된다.따라서 게이트 전압이 역방향으로 커질수록 전도성 중성채널은 넓어지고 드레인 전류는 증가한다. - 생성형(enhancement mode) 전계효과 트랜지스터게이트 전압이 0일 때 전류가 흐를 수 있는 중성채널 영역이 없는..

반도체 기초 Chapter 13 - 1. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET, MESFET 등) 특징

Chapter 13 - 1. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET, MESFET 등) 특징 전계효과 트랜지스터 (FET)수직 방향 전계를 형성해서 전도성 채널을 만들고, 수평 방향 전계를 형성해서 전도성 채널의 캐리어를 드리프트 시킨다. 전계효과 트랜지스터 (FET)의 종류- 절연 게이트 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)- 접합형 전계효과 트랜지스터 (JFET)- 쇼트키 (접합형) 전계효과 트랜지스터 (MESFET)- 고이동도 전계효과 트랜지스터 (MODFET 또는 HEMT) 전계효과 트랜지스터의 기판을 Si로 사용하면 게이트에 절연성 산화막(SiO2)이 잘 형성된다. 하지만 Si 기판보다 캐리어 이동도가 더 크게 만드려고 할 때는 게이트에 절연성 산화막(SiO2)이 잘 형성되지 않는다. 이런 경우 접합..

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