Tung's 반도체 타워

Chapter 10 - 5. 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 콜렉터, 베이스, 에미터 전류  에미터 전류 베이스/에미터 접합에 순방향 전압을 걸었을 때 에미터 전류 구성- 에미터에서 베이스로 전자를 주입해서 콜렉터에 도달한 전류- 베이스에서 에미터로 정공을 주입해서 에미터에 도달한 전류- 에미터 공간전하 영역에서 전자와 정공끼리 재결합에 의한 전류 전류 크기 비교 에미터에서 베이스로 전자를 주입해서 콜렉터에 도달한 전류∨베이스에서 에미터로 정공을 주입해서 에미터에 도달한 전류+에미터 공간전하 영역에서 전자와 정공끼리 재결합에 의한 전류  에미터 전류는 베이스/에미터 접합에 인가된 순방향 전압에 비례한다.  베이스 전류  베이스/에미터 접합에 순방향 전압을 걸었을 때 베이스 전류 구성- 베이스에서 에미터로 ..

Chapter 10 - 4. 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 순방향 능동 상태 전류  베이스/에미터 접합에 순방향 전압이 인가되었을 때 npn 바이폴라 트랜지스터(BJT)에서 소수 캐리어에 의한 전류는 확산 전류만 고려하면 된다. 이 전류는 전자에 의한 확산 전류와 정공에 의한 확산 전류가 있다. 전자에 의한 확산 전류전자에 의한 확산 전류는 콜렉터 전류에서 핵심적인 전류 성분이다. 전자에 의한 확산 전류가 결정되는 요소- 베이스 영역의 소수 캐리어인 전자 농도 (도핑 농도 등)- 확산 계수, 평균 수명, 확산 길이- 베이스 중성 영역의 길이- 베이스/에미터 접합 순방향 전압 세기 베이스/에미터 접합에 순방향 전압이 세질수록 에미터에서 베이스로 주입하는 전자 농도가 증가하고 대부분의 전자가 콜렉터로 모인다..

Chapter 10 - 2. 바이폴라 트랜지스터(BJT) 구조와 동작 원리  pn 접합 2개로 구현된 바이폴라 트랜지스터(BJT)npn 바이폴라 트랜지스터(BJT) 구조 기준 - 베이스두 pn 접합이 공유하는 하나의 영역p형 중성 영역이 베이스가 된다. - 에미터순방향 전압이 가해져서 에너지 장벽이 낮아지고 베이스로 캐리어를 주입하는 영역왼쪽의 n형 영역이 베이스로 전자를 주입한다. 따라서 에미터가 된다. - 콜렉터역방향 전압이 가해져서 공간전하 영역의 전계를 통해 전자를 수집하는 영역오른쪽의 n형 영역이 콜렉터로 전자를 수집한다. 따라서 콜렉터가 된다. 과잉 캐리어의 확산 길이가 베이스의 중성 영역의 길이보다 길다. n형 에미터에서 베이스로 주입된 전자는 곧바로 콜렉터 접합에 도달할 수 있다. 콜렉터 ..

Chapter 10 - 1. 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 전류-전압 특성 2단자 소자(반도체 접합 소자)의 전기적 특성반도체 접합 한 개 사용한 소자. 전기 전도도와 저항을 설정할 수 있다. 불순물의 종류와 농도나 반도체의 기하학적 구조에 따라 전기적 특성이 달라진다. 3단자 소자(트랜지스터 transistor)의 전기적 특성 반도체 접합을 여러 개 이어 붙인 소자. 신호의 증폭이 가능하다. 작은 전압을 인가하더라도 전류를 증폭해서 출력할 수 있다. 트랜지스터의 종류- 바이폴라 트랜지스터 (Bipolar Junction Transistor, BJT)전기적 특성을 결정하는 캐리어가 전자와 정공(바이폴라 bipolar)인 소자 - 전계효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor, FET)전..