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MODFET 2

반도체 기초 Chapter 13 - 3. 접합형 전계효과 트랜지스터 (JFET, MESFET 등) 채널길이 변조현상

Chapter 13 - 3. 접합형 전계효과 트랜지스터 (JFET, MESFET 등) 채널길이 변조현상  접합형 전계효과 트랜지스터 (JFET, MESFET 등)의 전달 컨덕턴스가 좋은 경우- 높은 채널 전하의 이동도- 두꺼운 채널- 큰 게이트 폭 / 길이- 짧은 게이트 길이 하지만 게이트 길이가 너무 짧아지면 짧은 채널효과가 나타나서 소자 특성에 큰 영향을 미친다.  포화영역 상태에서의 채널길이 변조현상 포화영역 상태에서의 채널길이 변조현상 조건 1) 접합형 전계효과 트랜지스터 (JFET, MESFET 등)의 채널길이 짧음조건 2) 드레인 전압 > 포화전압위 두 조건을 만족할 때 중성영역 채널 길이가 짧아지고, 포화영역 상태임에도 불구하고 드레인 전압이 증가할수록 드레인 전류가 증가한다. 채널길이 변조..

반도체 기초 Chapter 13 - 1. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET, MESFET 등) 특징

Chapter 13 - 1. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET, MESFET 등) 특징 전계효과 트랜지스터 (FET)수직 방향 전계를 형성해서 전도성 채널을 만들고, 수평 방향 전계를 형성해서 전도성 채널의 캐리어를 드리프트 시킨다. 전계효과 트랜지스터 (FET)의 종류- 절연 게이트 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)- 접합형 전계효과 트랜지스터 (JFET)- 쇼트키 (접합형) 전계효과 트랜지스터 (MESFET)- 고이동도 전계효과 트랜지스터 (MODFET 또는 HEMT) 전계효과 트랜지스터의 기판을 Si로 사용하면 게이트에 절연성 산화막(SiO2)이 잘 형성된다. 하지만 Si 기판보다 캐리어 이동도가 더 크게 만드려고 할 때는 게이트에 절연성 산화막(SiO2)이 잘 형성되지 않는다. 이런 경우 접합..

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