Chapter 11 - 5. 전압 세기에 따른 MOS 구조의 C-V 특성 MOS 구조의 C-V 특성은 게이트 전압의 변화에 따른 게이트 전화량의 변화이다.산화막 정전 용량, 게이트 영역 정전용량, 기판영역 정전용량 모두가 직렬로 연결된 구조이다.MOS 구조의 정전용량은 기판 영역의 정전용량과 같다. (다른 정전용량은 매우 작다.) 기판 영역의 전하- 다수 캐리어의 축적과 공핍- 소수 캐리어인 반전 전하 게이트 전압 변화에 따른 C-V 특성 변화 임계전압보다 낮은 게이트 전압이 인가된 MOS 구조의 C-V 특성 - 다수 캐리어 축적 상태의 C-V 특성 (V_G 게이트 전압이 작게 변해도 기판 정전용량은 크게 변한다. - 평탄대역 상태의 C-V 특성 (V_G = V_FB)게이트 전압에 평단대역 크기의 전..
