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선형영역 2

반도체 기초 Chapter 13 - 2. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET, MESFET 등)의 상태에 따른 전기적 특성

Chapter 13 - 2. 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET, MESFET 등)의 상태에 따른 전기적 특성 접합형 전계효과 트랜지스터의 구분접합형 전계효과 트랜지스터는 게이트 전압이 인가되지 않았을 때 전도성 채널이 형성되어 있는지 아닌지에 따라 구분한다. - 공핍형(depletion mode) 전계효과 트랜지스터게이트 전압이 0일 때 전류가 흐를 수 있는 중성채널 영역이 있는 전계효과 트랜지스터이다. 게이트에 역방향 전압을 인가해서 공간전하 영역이 확장되면 전도성 중성채널이 축소된다.따라서 게이트 전압이 역방향으로 커질수록 전도성 중성채널은 넓어지고 드레인 전류는 증가한다. - 생성형(enhancement mode) 전계효과 트랜지스터게이트 전압이 0일 때 전류가 흐를 수 있는 중성채널 영역이 없는..

반도체 기초 Chapter 12 - 2. MOSFET의 구조와 전류 관계식

Chapter 12 - 2. MOSFET의 구조와 전류 관계식 MOSFET에서는 절연성 산화막으로 인해 수직방향 전류는 흐르지 않는다. 수평방향 전류인 드레인 전류가 흐른다.드레인 전류는 전도성 채널의 두께, 산화막 정전용량, 채널전하의 농도와 이동도에 의해 그 크기가 결정된다.  MOSFET의 전류-전압 특성을 유도하기 위한 과정1. 기판 단자는 소스와 전위가 동일하다.2. 게이트 전압은 임계전압보다 크게 인가된다.3. 채널전하의 이동속도는 드레인 전압에 의해 형성된 수평 방향 전계의 세기에 비례한다.4. 전류-전압 관계식은 선형영역이다. MOSFET의 전류 형성MOSFET을 포함한 전계효과 트랜지스터는 전자 또는 정공 중 한 종류만 전도성 채널을 형성하고 전류를 만드는 유니폴라(unipolar) 소자..

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