Chapter 11 - 2. MOS 구조의 에너지 대역도 MOSFET의 수직 방향 전계에 의한 채널영역의 전하량 변화는 MOS 구조와 게이트 전압이 결정한다.열평형 상태의 에너지 대역도는 pn 접합 다이오드의 에너지 대역도와 유사하다.pn 접합 다이오드에서 전자와 정공에 대한 에너지 장벽이 낮아지는 전압을 순방향 전압이라고 정의한다. 하지만 MOS에서는 전자와 정공에 대한 에너지 장벽이 높아지는 전압을 양의 게이트(gate) 전압이라고 정의한다. 따라서 pn 접합 다이오드에서의 순방향 전압과 MOS 구조에 양의 게이트 전압이 가해질 때 현상의 차이가 있다는 것을 알고 있어야 한다. MOS 구조의 열평형 상태의 에너지 대역도접합을 형성하기 전의 열평형 상태에서 모든 영역에서 E_F가 일정함을 이용해서 에..
