Tung's 반도체 타워

Chapter 12 - 1. MOSFET의 전류-전압 특성 전계효과 트랜지스터(FET)는 게이트 전압을 통해서 전류를 조절한다. MOSFET 전류 형성 과정Step 1) 수직방향 전계 형성게이트 전압을 인가하면 수직방향 전계가 만들어진다.수직방향 전계로 인해 기판 표면에 모인 이동 전하가 전도성 채널을 만든다. Step 2) 수평방향 전계 형성전도성 채널이 만들어진 뒤, 채널 양단에 전압을 인가하면 수평방향 전계가 만들어진다.수평방향 전계로 인해 채널의 전하가 드리프트 되어 드레인 전류를 만든다. 전도성 채널의 저항성을 결정하는 지표- 게이트 전압- 산화막 정전용량- 임계전압- 채널 길이- 채널 폭 (수직 단면적) 드레인 전류를 결정하는 지표- 게이트 전압 (수직방향 전계)- 단위면적당 산화막 정전용량-..

Chapter 10 - 1. 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 전류-전압 특성 2단자 소자(반도체 접합 소자)의 전기적 특성반도체 접합 한 개 사용한 소자. 전기 전도도와 저항을 설정할 수 있다. 불순물의 종류와 농도나 반도체의 기하학적 구조에 따라 전기적 특성이 달라진다. 3단자 소자(트랜지스터 transistor)의 전기적 특성 반도체 접합을 여러 개 이어 붙인 소자. 신호의 증폭이 가능하다. 작은 전압을 인가하더라도 전류를 증폭해서 출력할 수 있다. 트랜지스터의 종류- 바이폴라 트랜지스터 (Bipolar Junction Transistor, BJT)전기적 특성을 결정하는 캐리어가 전자와 정공(바이폴라 bipolar)인 소자 - 전계효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor, FET)전..